Anhuang in detentore posteriori Deadbreak T specializatur, detentorem posteriorem Deadbreak T altae qualitatis praebemus.

Generalis:

17/50kV stylo Europaeo, cum interceptore, praebent rete mediae tensionis praesidii fidum. Utuntur scuto semiconductivo ut personae tuta sit et apparatus bene operari possit, magna etiam copia ut in iis condicionibus operari possint.

Interclusor cubitalis 17/50kV generis Europaei una cum connectore anteriori Europaeo adhiberi potest.

Contenta sarcinae:

Corpus arrestatoris

Cochlea duorum capitum

l Insulator

Chartam purgans

Lubricans siliconis

Relatio probationis

l Scheda instructionum institutionis

Certificatum qualitatis

Structura Producti:

1. Stratum insulationis: materia insulationis EPDM altae qualitatis adhibenda est.
2. Stratum semiconductoris: materia semiconductoris EPDM praeformata secundum normam IEEE592.
3.MOA
4. Tegmen inferius: cupro vel materia inoxidabili utere.
5. Filum terrae
6. Stratum semiconductorium internum
7. Clavus
8. Operculum sigillandum

Informationes Ordinis: